中国一项新成就为半导体芯片的大规模生产铺平了道路
中国科学家宣布开发出一种新技术，可以大规模生产基于二维材料的半导体芯片。
据《南华早报》报道，中国科学家在半导体芯片生产方面取得了重大突破。
据该报报道，东南南京大学王健林领导的科研团队与南京大学的王欣然和李涛涛合作，发明了一种新的晶体生长技术，成功制备出15厘米长的单晶二硫化钼（MoS₂）晶片，取得了重大突破。
在晶体生长过程中，科学家在化学反应的特定阶段添加了氧气，这加速了晶体的生长，改善了其电子性能，并降低了缺陷出现的可能性。
据该报报道，这项技术为大规模生产二维材料制成的半导体芯片铺平了道路。
她还指出，中国科学家在各种二维半导体材料的研究方面做出了重大贡献，这些材料有可能成为未来硅的替代品。
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