SK海力士批准380亿美元芯片投资以扩大韩国制造

星期五 07 八月 2026 - 08:40

SK海力士已批准一项价值约383亿美元的多年投资计划，强化其扩大半导体制造能力的长期战略，并增强韩国在全球内存芯片行业的地位。

这一决定标志着公司近年来最重要的资本承诺之一，反映出对未来由人工智能和高性能计算驱动的先进内存技术需求的持续信心。

通过2031年批准的重大扩展

公司的董事会授权总投资达到54.3万亿韩元，直到2031年，将资金分配到两个关键制造项目。

投资的最大份额——35.2万亿韩元——将用于位于龙仁的半导体综合体的第二阶段建设，而19.1万亿韩元将用于位于清州的M17制造设施。

根据公司计划，两个地点的建设预计将于2027年开始。

龙仁设施预计将支持先进高带宽内存（HBM）和DRAM芯片的生产，这些技术在人工智能应用对更快、更高效的内存解决方案的需求日益增长的情况下变得越来越重要。

与此同时，清州的扩展将增强公司在NAND闪存制造能力，以满足数据中心、消费电子和企业存储市场的需求。

这两个项目旨在提升SK海力士在半导体行业多个细分市场的竞争力。

董事会的批准是在公司早前宣布将在未来几年内投资数百万亿韩元于韩国半导体生态系统的更广泛计划后作出的。

最新的决定为两个旗舰项目提供了具体的资金和时间表，这些项目预计将在扩大国内芯片生产能力方面发挥核心作用。

这些投资也与韩国加强其在先进半导体制造方面的领导地位的国家目标相一致，尤其是在全球竞争加剧的情况下。

在扩大制造的同时，SK海力士表示正在积极评估其他措施以增强股东回报。

预计将在第三季度提供更多细节，这表明公司打算在大规模资本投资与旨在增加股东价值的举措之间取得平衡。

随着全球对与人工智能相关的半导体需求持续加速，SK海力士最新的投资计划使公司能够抓住国际内存芯片市场下一个增长阶段的机会。

关键词：